189907
H01L29/872
Заявка: 2019109467, 1.4.2019
Опубликовано: 11.6.2019. Бюл. № 17
Авторы: Н.А. Брюхно, В.И. Громов, М.В. Степанов, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
ДИОД ШОТТКИ
Формула полезной модели
Диод Шоттки, состоящий из эпитаксиальной n-n+ структуры, охранного элемента р-типа проводимости вокруг контакта Шоттки, контакта Шоттки, защитного слоя, адгезионного слоя и слоя для соединения с выводом корпуса, отличающийся тем, что слой для соединения с выводом корпуса выполнен из элемента с относительной атомной массой не менее 190 а.е.м. и толщиной от 37 мкм до 47 мкм.
