160937
H01L29/872
Заявка: 2015152458/28, 7.12.2015
Опубликовано: 10.4.2016. Бюл. № 10
Авторы: Н.А. Брюхно, В.В. Стрекалова, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Интегрированный Шоттки p-n диод
ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ШОТТКИ p-n ДИОД
Формула полезной модели
Интегрированный Шоттки p-n диод, состоящий из эпитаксиальной структуры, рабочая сторона которого покрыта слоем диэлектрика, охранного кольца, выполненного методом диффузии, типа проводимости, противоположного типу проводимости эпитаксиальной структуры, контактного окна анода в слое диэлектрика, распределенных рядов полос локальных p-n-переходов, выполненных одновременно с охранным кольцом, и переходов Шоттки, выполненных в углублениях в контактном окне анода, отличающийся тем, что локальные p-n-переходы выполнены на выступах, сформированных в контактном окне анода высотой h, выбираемой из соотношения 0,15xj ≤ h ≤ 0,5xj, где xj - глубина диффузии охранного кольца.