Интегрированный Шоттки p-n диод

160937

H01L29/872

Заявка: 2015152458/28, 7.12.2015

Опубликовано: 10.4.2016. Бюл. № 10

Авторы: Н.А. Брюхно, В.В. Стрекалова, А.Ю. Фроликова

Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Интегрированный Шоттки p-n диод

 

ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ШОТТКИ p-n ДИОД

Формула полезной модели

Интегрированный Шоттки p-n диод, состоящий из эпитаксиальной структуры, рабочая сторона которого покрыта слоем диэлектрика, охранного кольца, выполненного методом диффузии, типа проводимости, противоположного типу проводимости эпитаксиальной структуры, контактного окна анода в слое диэлектрика, распределенных рядов полос локальных p-n-переходов, выполненных одновременно с охранным кольцом, и переходов Шоттки, выполненных в углублениях в контактном окне анода, отличающийся тем, что локальные p-n-переходы выполнены на выступах, сформированных в контактном окне анода высотой h, выбираемой из соотношения 0,15xj  h  0,5xj, где xj - глубина диффузии охранного кольца.