174127
H01L29/735
Заявка: 2017109011, 17.3.2017
Опубликовано: 3.10.2017. Бюл. № 28
Авторы: Н.А. Брюхно, В.В. Огнев, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Кремниевый планарный транзистор
Формула полезной модели
Кремниевый планарный транзистор, содержащий планарные pn-переходы, защитное покрытие из слоев оксида кремния, фосфорно-силикатного стекла и дополнительного защитного слоя, окна к pn-переходам в слое защитного покрытия, алюминиевую металлизацию к планарным pn-переходам, отличающийся тем, что дополнительный защитный слой образован слоем ванадия толщиной 0,01-0,1 мкм, расположенным между слоем алюминиевой металлизации и pn-переходами.
