160930
H01L29/70
Заявка: 2015136218/28, 26.8.2015
Опубликовано: 10.4.2016. Бюл. № 10
Авторы: Н.А. Брюхно, И.В. Куфтов
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Омический контакт кристалла высоковольтного кремниевого прибора
ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ КРИСТАЛЛА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО КРЕМНИЕВОГО ПРИБОРА
Формула полезной модели
Кристалл высоковольтного кремниевого прибора, состоящий из сильнолегированной подложки, слаболегированного эпитаксиального полупроводникового слоя такого же типа проводимости, как и подложка, в котором сформирован рабочий слой, системы металлизации к сильнолегированной подложке, состоящий из контактирующего к подложке слоя алюминия, адгезионного слоя на основе титана, слоя на основе никеля и слоя на основе серебра или золота, отличающийся тем, что контактирующий к подложке слой выполнен в виде локальных квадратных областей алюминия, расположенных в шахматном порядке с расстоянием b между областями от 20 до 200 мкм.
