165465
G01N7/00
Заявка: 2016121257/28, 30.5.2016
Опубликовано: 20.10.2016. Бюл. № 29
Авторы: Н.А. Брюхно, В.И. Громов, В.В. Стрекалова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Полупроводниковый датчик давления
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
Формула полезной модели
Полупроводниковый датчик давления, состоящий из монокристаллической кремниевой тонкой диафрагмы n-типа проводимости в кремниевой рамке, тензометрического устройства, сформированного в диафрагме вблизи границы с рамкой в виде системы прямоугольников р-типа проводимости, четырех токопроводов из сильно легированного кремния р-типа проводимости, контактирующих с прямоугольниками тензометрического устройства с одной стороны и с металлизированной разводкой на кремниевой рамке с другой стороны, отличающийся тем, что тензометрическое устройство из прямоугольников выполнено в виде квадратной рамки, сориентированной вдоль направлений семейства [110], а токопроводы в местах контактирования к углам квадратной рамки выполнены в виде одинаковых прямоугольников со сторонами, параллельными сторонам квадратной рамки, и полностью перекрывают углы квадратной рамки тензометрического устройства с зазорами между сторонами токопроводов и сторонами угла квадратной рамки не менее 1 ошибки совмещения.
