190587
H01L21/58
Заявка: 2019111231, 15.4.2019
Опубликовано: 4.7.2019. Бюл. № 19
Авторы: Н.А. Брюхно, Ю.Н. Севастьянов
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Формула полезной модели
Полупроводниковый прибор, содержащий сильно легированную сурьмой подложку, на которую нанесены эпитаксиальный слой n-типа проводимости с рабочей структурой покрытие из золота на полированной обратной стороне сильнолегированной подложки, отличающийся тем, что на внешней стороне покрытия из золота сформирован слой, имплантированный ионами фосфора с дозой D, причем доза фосфора лежит в интервале 3⋅1014≤D≤1,5⋅1015 атомов/см2, а энергия ионов фосфора Е лежит в интервале 20<E≤100 кэВ.