Полупроводниковый прибор

188679

H01L29/73

Заявка: 2018146676, 25.12.2018

Опубликовано: 22.04.2019. Бюл. № 12

Авторы: Н.А. Брюхно, В.И. Громов, С.В. Лапутин, Т.Е. Паньков, В.В. Стрекалова, А.Ю. Фроликова

Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Формула полезной модели

Полупроводниковый прибор, состоящий из кремниевой эпитаксиальной структуры одного типа проводимости, планарного участка с кольцом вокруг него другого типа проводимости, отличающийся тем, что кольцо вокруг планарного участка pn-перехода выполнено шириной a, где 0,4 мкм≤a≤0,6 мкм, а зазор b между кольцом и планарным участком pn-перехода лежит в пределах x_j1≤b≤2⋅x_j1, где x_j1 - глубина проникновения примеси в базу.