Способ изготовления диодов Шоттки на основе карбида кремния

2632173

H01L29/872

Заявка: 2016125732, 27.6.2016

Опубликовано: 2.10.2017. Бюл. № 28

Авторы: Н.А. Брюхно, В.И. Громов, П.А. Иванов, И.В. Куфтов, М.В. Степанов

Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Способ изготовления диодов Шоттки на основе карбида кремния

Использование: для изготовления карбидкремниевых приборов, а именно высоковольтных диодов Шоттки. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит окисление поверхности эпитаксиальной структуры, формирование в оксиде кремния контактных окон методом фотолитографии, формирование контакта Шоттки методом напыления металла и взрывной фотолитографии, термообработки контакта Шоттки, формирование контактной металлизации, проверки электрических параметров, дополнительно определяют высоту барьера и коэффициент неидеальности ВАХ диода Шоттки после взрывной фотолитографии, причем высота барьера должна быть не менее чем 75%, а коэффициент неидеальности - не более 130% от значений годного диода Шоттки. Технический результат: - обеспечение возможности повышения выхода годных диодов Шоттки. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.