175485
G01N13/00
Заявка: 2017120747, 13.6.2017
Опубликовано: 6.12.2017. Бюл. № 34
Авторы: К.Л. Афанасьев, К.А. Герасимов, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Устройство для изготовления косого шлифа
Формула полезной модели
Устройство получения косого шлифа, состоящее из пуансона, пресс-шайбы в виде цилиндра, на одном из оснований которого выполнена плоская фаска под углом косого шлифа, и наклеенного на плоскость фаски по линии пересечения плоскости фаски с основанием цилиндра исследуемого полупроводникового кристалла, отличающееся тем, что между исследуемым полупроводниковым кристаллом и фаской расположен сегмент плоскопараллельной пластины из того же материала что и исследуемый полупроводниковый кристалл, прямолинейный край которого совмещен с линией пересечения плоскости фаски и основания пресс-шайбы, а сам полупроводниковый кристалл смещен относительно прямолинейного края сегмента пластины на расстояние x, где x рассчитывается по формуле:
где K - коэффициент запаса для обеспечения начала шлифования сегмента плоскопараллельной пластины, а затем - шлифования полупроводникового кристалла, равный 1,1-1,25;
d - толщина исследуемого полупроводникового кристалла;
α - угол между плоскостью фаски и основанием пресс-шайбы.
