165463
H01L29/861
Заявка: 2016109360/28, 15.3.2016
Опубликовано: 20.10.2016. Бюл. № 29
Авторы: Н.А. Брюхно, И.В. Куфтов, М.В. Степанов
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Высоковольтный диод на основе карбида кремния
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Формула полезной модели
Полупроводниковый диод на основе карбида кремния, состоящий из планарного рабочего перехода p-типа проводимости, сформированного в эпитаксиальном n-слое, и охранной системы на основе делительных колец, покрытой слоем оксида кремния, отличающийся тем, что делительные кольца расположены в компенсированной p-примесью приповерхностной области эпитаксиального слоя с концентрацией в интервале 0,1-0,5 концентрации эпитаксиального слоя глубиной хk=0,4-0,8 глубины делительного кольца, которая выступает за пределы делительных колец на расстояние а=0,9-1,2 толщины эпитаксиального слоя Н.
