Биполярный кремниевый планарный транзистор

189905

H01L29/34

Заявка: 2019109481, 1.4.2019

Опубликовано: 11.6.2019. Бюл. № 17

Авторы: Н.А. Брюхно, В.В. Стрекалова

Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

БИПОЛЯРНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Формула полезной модели

Биполярный кремниевый планарный транзистор, состоящий из области коллектора, в которой сформирована область базы, сплошной области эмиттера, вписанной в базу, с системой отверстий под контакт к базе, защитного окисла, покрывающего области коллектора, базы и эмиттера, контактных окон в защитном окисле к эмиттеру и к базе в местах отверстий в эмиттере под контакт к базе, отличающийся тем, что контактные области к базе дополнительно окружены кольцами из слоя эмиттера шириной х_Э≤W≤2,5х_Э на расстоянии 1,9х_Э≤Н≤3х_Э от эмиттера, где х_Э - глубина эмиттерной области.