180907
H01L21/331
Заявка: 2018110226, 22.3.2018
Опубликовано: 29.6.2018. Бюл. № 19
Авторы: Н.А. Брюхно, И.В, Куфтов, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Формула полезной модели
Биполярный транзистор, состоящий из подложки, коллекторного эпитаксиального слоя, планарных переходов базы и эмиттера, покрытых слоем оксида кремния, контактных окон к этим переходам, металлизированных контактных площадок базы и эмиттера над соответствующими переходами и гибких выводов, соединенных с областями базы и эмиттера методом сварки, отличающийся тем, что контактное окно выполнено с участками оксида кремния, расположенными в шахматном порядке с шагом 4 мкм <А<10 мкм.
