172837
H01L29/872
Заявка: 2017111520, 5.4.2017
Опубликовано: 26.7.2017. Бюл. № 21
Авторы: Н.А. Брюхно, И.В. Куфтов, А.А. Малаханов
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Диод с барьером Шоттки на основе карбида кремния
Формула полезной модели
Диод с барьером Шоттки на основе карбида кремния, состоящий из сформированных в эпитаксиальном n-слое планарного рабочего перехода p-типа проводимости и охранной системы на основе n-области с уровнем легирования ниже, чем в эпитаксиальном слое, отличающийся тем, что на поверхности эпитаксиального слоя в n-области с низким уровнем легирования сформирована канавка глубиной 0,2-0,3 мкм.
