163663
H01L21/768
Заявка: 2016109358/28, 15.3.2016
Опубликовано: 27.7.2016. Бюл. № 21
Авторы: Н.А. Брюхно, С.В. Егоров, А.Ю. Фроликова, Т.Б. Шер
Патентообладатель: Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Интегральная микросхема с диэлектрической изоляцией
ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ
Формула полезной модели
Интегральная микросхема с диэлектрической изоляцией, содержащая npn транзисторы в n-коллекторном кармане, pnp транзисторы в p-коллекторном кармане, базы, эмиттеры, контакты к транзисторам и металлизацию, образующую межсоединения, отличающаяся тем, что p-коллекторный карман pnp транзистора сформирован методом имплантации и диффузии в n-кармане, а n-база pnp транзистора электрически соединена с n-карманом этого транзистора.
