237046
H10D84/85
Заявка: 2025104389, 24.2.2025
Опубликовано: 5.9.2025. Бюл. № 25
Авторы: Н.А. Брюхно, О.О. Данцев, Г.С. Игнатенко, М.В. Кильчицкая, С.В. Лапутин
Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
КМОП-микросхема с N-МОП-транзисторами
Формула полезной модели
КМОП-микросхема с N-МОП-транзисторами, состоящая из кремниевой монокристаллической подложки Р-типа проводимости, карманов N-типа проводимости для формирования Р-МОП-транзисторов, выполненных путем легирования фосфором, сформированных в карманах N-типа проводимости охранных областей N-типа проводимости, выполненных путем легирования фосфором, областей истока и стока N-МОП-транзисторов, выполненных путем легирования мышьяком, контактных окон в защитном слое фосфоросиликатного стекла к областям истока и стока N-МОП-транзисторов, слоя защиты от растворения областей истока и стока N-МОП-транзисторов, алюминиевой металлизации, отличающаяся тем, что слой защиты от растворения областей истока и стока выполнен путем легирования фосфором области контактных окон истока и стока при формировании охранных областей N-типа проводимости.
