Кремниевая структура с диэлектрической изоляцией

223705

H01L21/762

Заявка: 2023120626, 4.8.2023

Опубликовано: 29.2.2024. Бюл. № 7

Авторы: Н.А. Брюхно, О.О. Данцев, М.В. Кильчицкая, Е.В. Мироненко

Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

Формула полезной модели

Кремниевая структура с диэлектрической изоляцией для производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, рабочая поверхность которой состоит из монокристаллического кремния ориентации (100), в ней вытравлены разделительные канавки, сформирован сильнолегированный слой путем диффузии фосфора в поверхность с рельефом, с последующим его окислением и нанесенным на него толстым слоем поликремния, при этом монокристаллический кремний находится на дне канавок, отличающаяся тем, что на рельефе сформирован дополнительный скрытый слой, легированный сурьмой, причем доза сурьмы лежит в пределах 0,25D_P≤D_SB≤0,3D_P.