198255
H01L21/76
Заявка: 2020110983, 16.3.2020
Опубликовано: 29.6.2020. Бюл. № 19
Авторы: Н.А. Брюхно, К.А. Герасимов, А.А. Демидов, И.В. Куфтов, Т.Б. Шер
Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ МИКРОСХЕМ
Формула полезной модели
Кремниевая структура с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем, состоящая из подложки на основе кремния, изолированных диэлектриком от подложки кремниевых монокристаллических карманов со скрытым слоем, легированным мышьяком и выходящим на рабочую поверхность структуры по боковым стенкам карманов, отличающаяся тем, что дно карманов дополнительно содержит скрытый слой, легированный фосфором дозой в интервале (2,5-3,5)⋅1013 ионов/см2 и глубиной больше глубины залегания мышьяка на 4-6 мкм.
