163912
H01L29/872
Заявка: 2016109354/28, 15.3.2016
Опубликовано: 20.8.2016. Бюл. № 23
Авторы: Н.А. Брюхно, В.В. Стрекалова, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Кремниевый диод Шоттки
КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД ШОТТКИ
Формула полезной модели
Кремниевый диод Шоттки, состоящий из кремниевой сильнолегированной подложки n-типа проводимости, слаболегированного эпитаксиального слоя того же типа проводимости, что и подложка, и охранного кольца p-типа проводимости, слоя оксида кремния, барьера Шоттки на основе металлов платиновой группы в окне слоя оксида кремния, причем контакт Шоттки сформирован в пределах охранного кольца p-типа проводимости, антидиффузионного слоя на основе молибдена и слоя металлизации на основе алюминия для сварки к нему гибких выводов, отличающийся тем, что слой молибдена нанесен только в контактном окне.
