234059
H10D8/60
Заявка: 2025104387, 24.2.2025
Опубликовано: 19.5.2025. Бюл. № 14
Авторы: Н.А. Брюхно, И.В. Герасимов, М.В. Кильчицкая, Е.В. Мироненко, П.В. Хотемской
Патентообладатель: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Кремниевый диод Шоттки
Формула полезной модели
Кремниевый диод Шоттки, состоящий из эпитаксиальной структуры n-типа проводимости на подложке n+-типа проводимости, охранного кольца р-типа и участков с р-n-переходами в контакте Шоттки, отличающийся тем, что p-n-переходы в контакте Шоттки выполняются в виде участков размером 1,5x ≤ а ≤ 3х, расположенных рядами, а внутри ряда шаг С между участками р-n-переходов выбирают из неравенства
расстояние между соседними рядами В=0,86С, причем в последующем ряду участки р-n-переходов расположены в местах напротив середин между участками предыдущего ряда,
где а - размер участка р-n-перехода;
х - разрешающая способность фотолитографии;
w - ширина обедненного слоя в эпитаксиальный слой при максимальном рабочем напряжении;
С - шаг расположения р-n-перехода внутри ряда;
В - расстояние между соседними рядами.
