Кремниевый дмоп-транзистор

163911

H01L29/78

Заявка: 2015152477/28, 7.12.2015

Опубликовано: 20.8.2016. Бюл. № 23

Авторы: Н.А. Брюхно, С.А. Копацкий, Е.А. Малащенко, Н.И. Михеев, Ю.Н. Севастьянов, И.С. Симукова, А.Ю. Фроликова

Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Кремниевый дмоп-транзистор

КРЕМНИЕВЫЙ ДМОП-ТРАНЗИСТОР

Формула полезной модели

Кремниевый ДМОП-транзистор, состоящий из базовой p-области, созданной методом диффузии бора, где формируется канал проводимости между истоком и стоком, области истока n-типа проводимости, сформированной методом диффузии мышьяка в базовой p-области, отличающийся тем, что область истока дополнительно содержит между областью истока, сформированной методом диффузии мышьяка, и базовой p-областью диффузионную область, легированную фосфором, доза легирования которой определяется из соотношения 0,6D_As -2D_B ≤ D_P ≤ 2,2D_As-2D_B, где D_B - доза легирования бором, D_p - доза легирования фосфором, D_As - доза легирования мышьяком.