237916
H10D30/00
Заявка: 2025107959, 31.3.2025
Опубликовано: 9.10.2025. Бюл. № 28
Авторы: Н.А. Брюхно, О.О. Данцев, С.В. Лапутин, А.М. Лидский, А.А. Чайкин, А.А. Данцева
Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Кремниевый полевой транзистор
Формула полезной модели
Кремниевый ДМОП транзистор, состоящий из эпитаксиального слоя одного типа проводимости на сильнолегированной подложке такого же типа проводимости, семейства гексагональных областей другого типа проводимости для формирования инверсионного канала ДМОП транзисторов, областей истоков того же типа проводимости, как и эпитаксиальный в областях формирования каналов, слой сильно-легированной области такого же типа проводимости, как и область формирования инверсионных каналов для отражения инжектированных носителей в область канала, формирование защитных диодов и металлизации истока, соединяющие все истоки семейства гексагональных областей, отличающийся тем, что защитные диоды сформированы по размеру области формирования инверсионных каналов слоем сильнолегированной области такого же типа проводимости, как и область формирования инверсионных каналов, причем диоды распределены равномерно по всей площади семейства транзистора.
