174128
H01L29/70
Заявка: 2017111518, 5.4.2017
Опубликовано: 3.10.2017. Бюл. № 28
Авторы: Н.А. Брюхно, В.В. Стрекалова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Кремниевый полупроводниковый прибор
Формула полезной модели
Кремниевый полупроводниковый прибор, содержащий прямоугольный кристалл из слаболегированного рабочего слоя одного типа проводимости, планарный p-n переход в рабочем слое, сильно легированный канальный ограничитель того же типа проводимости, что и рабочий слой, в виде рамки, выполненной по периферии кристалла, слой окисла с контактными окнами к канальному ограничителю, металлический полевой электрод канального ограничителя, отличающийся тем, что контактные окна, соединяющие канальный ограничитель с полевым электродом канального ограничителя, выполнены локально по углам кристалла.
