237055
H01L21/266
Заявка: 2025111072, 25.4.2025
Опубликовано: 5.9.2025. Бюл. № 25
Авторы: Н.А. Брюхно, М.В. Кильчицкая, Е.Ю. Нироленко, В.И. Пугачев, М.Ю. Шикун
Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Маска для ионного легирования в пластины карбида кремния
Формула полезной модели
Маска для ионного легирования в пластины карбида кремния, состоящая из слоя поликристаллического кремния, полученного путем пиролиза моносилана, на слое оксида кремния с сформированными областями для легирования, отличающаяся тем, что толщина поликристаллического кремния составляет 0,1-0,25 мкм, его синтез проводят при температуре 580-620°С, а толщина слоя оксида кремния выбрана для обеспечения маскирования на всю глубину проникновения ионов примеси.
