161515
H01L27/04
Заявка: 2015141636/28, 30.9.2015
Опубликовано: 20.4.2016. Бюл. № 11
Авторы: Н.А. Брюхно, В.И. Громов, Ю.Н. Севастьянов, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Мощная полупроводниковая микросхема
МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА
Формула полезной модели
Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, первым слоем тонкой металлизации из алюминия, диэлектрического покрытия с окнами к первому слою металлизации, второго слоя металлизации из алюминия и третьего слоя толстой металлизации из меди, состоящего из адгезионного, затравочного слоев и слоя меди, полученного методом электроосаждения, отличающаяся тем, что второй слой металлизации из алюминия выполнен в виде участков в области контактных окон к первому слою металлизации из алюминия с размерами, равными максимальному размеру контактного окна + 6 ошибок совмещения второго слоя металлизации + 6 ошибок травления второго слоя металлизации, а третий слой металлизации из меди наносится непосредственно на второй слой металлизации из алюминия.
