163838
H01L21/70
Заявка: 2016104867/28, 12.2.2016
Опубликовано: 10.8.2016. Бюл. № 22
Авторы: В.В. Афанаскин, Н.А. Брюхно, В.И. Пугачев, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Мощная полупроводниковая микросхема
МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА
Формула полезной модели
Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки, со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, слоем тонкой металлизации из алюминия, диэлектрического покрытия с окнами к первому слою металлизации и второго слоя толстой металлизации из меди, состоящего из адгезионного, затравочного слоев и слоя меди, полученного методом электроосаждения, отличающаяся тем, что адгезионный слой выполнен из ванадия толщиной 10-20 нм.
