163839
H01L21/20
Заявка: 2016109350/28, 15.3.2016
Опубликовано: 10.8.2016. Бюл. № 22
Авторы: Н.А. Брюхно, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Мощная полупроводниковая микросхема
МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА
Формула полезной модели
Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки с мощным полупроводниковым прибором и верхним слоем металлизации из толстого слоя меди, сформированного методом электроосаждения, образующего контактные площадки к мощному полупроводниковому прибору, разводку силовых электродов мощного полупроводникового прибора в виде шин, собирающих ток, и шин, соединяющих разводку силовых электродов с контактными площадками, отличающаяся тем, что в слое металлизации из меди, а именно в разводке силовых электродов и шинах, соединяющих разводку силовых электродов с контактными площадками, выполнены прямоугольные отверстия, сориентированные вдоль длинной оси участков шин шириной 2-2,5 толщины металлизации из меди и длиной 5-7 толщин металлизации из меди, причем расстояние между отверстиями и отверстиями и краем металлизации из меди не превышает 20 толщин металлизации.
