Мощная полупроводниковая микросхема

163958

H01L23/488, H01L23/50

Заявка: 2015152476/07, 7.12.2015

Опубликовано: 20.8.2016. Бюл. № 23

Авторы: К.Л. Афанасьев, Н.А. Брюхно, В.И. Громов, А.В. Минин

Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Мощная полупроводниковая микросхема

 

МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА


Формула полезной модели

Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из корпуса с полостью и металлизированной площадкой для монтажа кристалла в колодце корпуса, траверс для приварки гибких выводов, кристалла с контактными площадками под сварку гибких выводов шариком, гибких выводов, соединяющих контактные площадки с металлизированной площадкой для монтажа кристаллов, отличающаяся тем, что гибкие выводы соединений контактных площадок кристалла с металлизированной площадкой для монтажа кристалла имеют сварное соединение на площадке для монтажа кристалла шариком.