195547
H01L21/322
Заявка: 2019136576, 13.11.2019
Опубликовано: 31.1.2020. Бюл. № 4
Авторы: Н.А. Брюхно, А.Н. Гаврилин, И.В. Куфтов
Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
ПЛАНАРНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ P-N-P ТРАНЗИСТОР
Формула полезной модели
Планарный кремниевый р-n-р транзистор, состоящий из подложки, коллекторного эпитаксиального слоя, планарных переходов базы и эмиттера, области подлегирования базы, контактных окон к этим переходам и геттерирующего слоя, отличающийся тем, что геттерирующий слой в контактом окне эмиттера выполнен в виде квадратных участков, расположенных в шахматном порядке с шагом 3 мкм<А<4 мкм.
