156549
H03K17/60
Заявка: 2015111039/08, 26.3.2015
Опубликовано: 10.11.2015. Бюл. № 31
Авторы: Н.А. Брюхно, В.И. Громов, И.В. Куфтов, Ю.Н. Севастьянов
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Мощный биполярный транзистор на основе карбида кремния
МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Формула полезной модели
Мощный биполярный транзистор на основе карбида кремния, содержащий эпитаксиально выращенные коллекторный, базовый и эмиттерный слои, эмиттер, сформированный травлением эпитаксиального слоя до достижения базового слоя, пассивирующий слой оксида кремния, нанесённый на эмиттерный слой, его боковую стенку и базовый слой, контактное окно в нанесённом слое оксида кремния над базой, в котором сформирована подконтактная сильнолегированная область того же типа проводимости, что и база, отличающийся тем, что подконтактная сильнолегированная область в базовом слое граничит с боковой стенкой эмиттера.
