Полупроводниковый прибор

190587

H01L21/58

Заявка: 2019111231, 15.4.2019

Опубликовано: 4.7.2019. Бюл. № 19

Авторы: Н.А. Брюхно, Ю.Н. Севастьянов

Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Формула полезной модели

Полупроводниковый прибор, содержащий сильно легированную сурьмой подложку, на которую нанесены эпитаксиальный слой n-типа проводимости с рабочей структурой покрытие из золота на полированной обратной стороне сильнолегированной подложки, отличающийся тем, что на внешней стороне покрытия из золота сформирован слой, имплантированный ионами фосфора с дозой D, причем доза фосфора лежит в интервале 3⋅10¹⁴≤D≤1,5⋅10¹⁵ атомов/см², а энергия ионов фосфора Е лежит в интервале 20<E≤100 кэВ.