188684
H01L29/41
Заявка: 2019100739, 10.1.2019
Опубликовано: 22.4.2019. Бюл. № 12
Авторы: Н.А. Брюхно, М.Ю. Котова, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
СИЛОВОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Формула полезной модели
Силовое полупроводниковое устройство на основе карбида кремния, состоящее из утоненной сильнолегированной подложки, слаболегированного эпитаксиального полупроводникового слоя такого же типа проводимости, как и подложка, в котором сформирован рабочий слой, системы металлизации к сильнолегированной подложке, состоящей из слоя омического контакта, который сформирован лазерным отжигом никеля, и металлизации, состоящей из адгезионного, барьерного и слоя для пайки кристалла к корпусу с закладными деталями из припоя, отличающееся тем, что омический контакт сформирован лазерным отжигом квадратными участками с размером локальных квадратных областей от 70≤а≤150 мкм и зазором с плоским дном 5мкм <b<10мкм между областями.
