Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

2783769

H01L21/762

Заявка: 2022108384, 29.3.2022

Опубликовано: 17.11.2022. Бюл. № 32

Автор: Н.А. Брюхно

Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

Областью применения изобретения является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а именно производство кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Техническим результатом предлагаемого изобретения является понижение трудоемкости и повышение плотности упаковки. Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемом способе травление канавок проводится перед окислением рабочей пластины, затем проводят окисление поверхности пластины с канавками и заполнение канавок слоем поликремния, а потом рабочую пластину соединяют с пластиной-подложкой фриттой на основе кварцевого стекла, а утонение рабочей пластины проводят до появления разделительных канавок, окисла и поликремния в канавках. Кроме того, в предлагаемом способе угол наклона стенок разделительных канавок симметричный и лежит в пределах 83-87° относительно рабочей плоскости. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.