2853035
H10D8/60
Заявка: 2025112541, 12.5.2025
Опубликовано: 17.12.2025. Бюл. № 35
Авторы: Н.А. Брюхно, М.В. Кильчицкая, О.В. Конаева, М.Ю. Шикун
Патентообладатель: Акционерное общество «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА КАРБИДЕ КРЕМНИЯ
Изобретение относится к области мощных высоковольтных полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Способ изготовления высоковольтных полупроводниковых приборов на карбиде кремния политипа 4H, включающий формирование маски на эпитаксиальном слое n-типа проводимости для создания компенсированной области, формирование окон в маске, имплантацию в сформированные окна в маске примеси р-типа проводимости, а именно алюминия, с концентрацией, составляющей до 80-90% от концентрации примеси n-типа в эпитаксиальном слое, формирование маски для создания делительных р+ колец и JBS структур, формирование окон в маске на участках с компенсированной областью, имплантацию алюминия в сформированные окна в маске, высокотемпературный отжиг имплантированных слоев, контроль напряжения пробоя полученной структуры, при этом вначале формируют маску для создания делительных р+ колец и JBS структуры, формируют окна в маске, проводят имплантацию алюминия в сформированные окна в маске, а затем в той же маске вскрывают окна для создания компенсированной области, проводят имплантацию алюминия в сформированные окна в маске и высокотемпературный отжиг имплантированных слоев. Изобретение обеспечивает упрощение технологического процесса изготовления высоковольтных полупроводниковых приборов на основе карбида кремния за счет использования одной маски из оксида кремния для создания всех областей р-типа проводимости: компенсированной области, делительных р+ колец и JBS структур. 7 ил.
