Способ односторонней шлифовки пластин карбида кремния свободным абразивом

2790244

B24B37/04, H01L21/302, B24B1/00

Заявка: 2022100512, 12.01.2022

Опубликовано: 15.02.2023. Бюл. № 5

Авторы: С.С. Алехин, С.Г. Бишутин, А.А. Пронин

Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

СПОСОБ ОДНОСТОРОННЕЙ ШЛИФОВКИ ПЛАСТИН КАРБИДА КРЕМНИЯ СВОБОДНЫМ АБРАЗИВОМ

Изобретение относится к механической обработке пластин из полупроводниковых материалов и может быть использовано при изготовлении диодов, транзисторов и микросхем. Механическая обработка пластин проводится для их утонения, чтобы уменьшить их тепловое и электрическое сопротивление. Способ включает наклейку на поверхность плоскопараллельной головки обрабатываемых карбидокремниевых пластин и дополнительных пластин, размещение плоскопараллельной головки на шлифовальнике и подачу свободного абразива. В качестве дополнительных пластин используют кремниевые пластины, диаметр которых равен диаметру обрабатываемых карбидокремниевых пластин. Сначала на плоскопараллельную головку наклеивают дополнительные кремниевые пластины и осуществляют их шлифовку до величины, на 0,01 мм превышающей толщину обрабатываемых карбидокремниевых пластин. Затем осуществляют наклейку обрабатываемых карбидокремниевых пластин и производят шлифовку наклеенных обрабатываемых карбидокремниевых пластин и дополнительных пластин до заданной величины утонения карбидокремниевых пластин. Упрощается технологический процесс изготовления пластин, повышается качество шлифовки. 4 ил.