173641
H01L29/73, G01R31/26
Заявка: 2017110116, 27.3.2017
Опубликовано: 4.9.2017. Бюл. № 25
Авторы: Н.А. Брюхно, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Тестовый планарный P-N-P транзистор
Формула полезной модели
Тестовый планарный p-n-p транзистор, содержащий рабочий транзистор с базовым переходом, эмиттерным переходом, слоем изолирующего окисла на рабочей поверхности, область дополнительного легирования базы, окно в окисле для дополнительного легирования базы, контактные окна к областям базы, эмиттера и коллектора, отличающийся тем, что в слое изолирующего окисла содержится дополнительное контактное окно над эмиттером, сформированное одновременно с контактным окном в окисле для дополнительного легирования базы.
