172820
H01L29/72
Заявка: 2017110556, 29.3.2017
Опубликовано: 25.7.2017. Бюл. № 21
Авторы: Н.А. Брюхно, И.В. Куфтов, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Биполярный транзистор
Формула полезной модели
Биполярный транзистор, состоящий из подложки, коллекторного эпитаксиального слоя, планарных переходов базы и эмиттера, покрытых слоем оксида кремния, контактных окон к этим переходам, металлизированных контактных площадок базы и эмиттера над пассивной частью коллектора, отличающийся тем, что в эпитаксиальном слое под контактными площадками эмиттера и базы сформированы изолированные участки базового перехода.
