Кремниевая структура с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем в малогабаритных корпусах

205507
H01L27/04, H01L21/76
Заявка: 2021106298, 10.3.2021
Опубликовано: 19.7.2021. Бюл. № 20
Авторы: Н.А. Брюхно, И.Ю. Бутарев, Е.М. Жарковский, И.В. Куфтов
Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Кремниевая структура с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем в малогабаритных корпусах

Формула полезной модели

Кремниевая структура с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем, состоящая из подложки на основе кремния, изолированных диэлектриком от подложки кремниевых монокристаллических карманов с двумя скрытыми слоями, первым легированным мышьяком и выходящим на рабочую поверхность структуры по боковым стенкам карманов, вторым на дне кармана легированным фосфором дозой в интервале (2,5-3,5)⋅10¹³ ионов/см² и глубиной больше глубины залегания мышьяка на 4-6 мкм и высоковольтным планарным переходом на рабочей стороне кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией, состоящим из плоской части, по периферии которой расположены элементы, повышающие напряжение пробоя планарного перехода, отличающаяся тем, что второй скрытый слой сформирован только под плоской частью планарного перехода.