Кремниевый ДМОП-транзистор

161795

H01L29/78

Заявка: 2015152460/28, 7.12.2015

Опубликовано: 10.5.2016. Бюл. № 13

Авторы: Н.А. Брюхно, К.А. Герасимов, В.И. Громов, А.Ю. Фроликова, Т.Б. Шер

Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Кремниевый ДМОП-транзистор

КРЕМНИЕВЫЙ ДМОП-ТРАНЗИСТОР

Формула полезной модели

Кремниевый ДМОП-транзистор, состоящий из базовой р-области, созданной методом диффузии, где формируется канал проводимости между истоком и стоком, области истока n-типа проводимости, сформированной методом диффузии фосфора в базовой р-области, отличающийся тем, что область истока дополнительно содержит на поверхности диффузионную область, легированную сурьмой, доза легирования которой определяется из соотношения 0,22D_p ≤ D_Sb ≤ 0,3D_p, где D_p - доза легирования фосфором, D_Sb - доза легирования сурьмой.