183901
H01L21/265
Заявка: 2018126332, 16.7.2018
Опубликовано: 8.10.2018. Бюл. № 28
Авторы: Н.А. Брюхно, В.И. Громов, О.О. Данцев, И.В. Куфтов
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
МАСКА ДЛЯ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Формула полезной модели
Маска для ионного легирования полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, состоящая из слоя поликристаллического кремния, сформированного на слое оксида кремния с вытравленными областями для легирования, отличающаяся тем, что маска дополнительно покрывается слоем оксида кремния толщиной, равной расстоянию от края первой ионно-легированной области до края второй ионно-легированной области.
