140712
H01L21/265
Заявка: 2013150369/28, 12.11.2013
Опубликовано: 20.5.2014. Бюл. № 14
Авторы: В.В. Афанаскин, Н.А. Брюхно, М.С. Воронцов, В.И. Громов, П.А. Иванов, Ю.Н. Севастьянов, С.П. Сулаков, Е.А. Чирков
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Маска для ионного легирования в пластины карбида кремния
МАСКА ДЛЯ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ В ПЛАСТИНЫ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Формула полезной модели
Маска для ионного легирования в пластины карбида кремния, состоящая из маскирующего слоя неорганического материала на поверхности карбида кремния и сформированных в этом слое участков для легирования, отличающаяся тем, что маскирующий слой выполнен из слоя поликристаллического кремния, полученного путем пиролиза моносилана при температуре 600-700°C на слое двуокиси кремния или комбинации слоев нитрида кремния и двуокиси кремния толщиной 0,03-0,25 мкм, примыкающего к карбиду кремния.
