165466
H01L21/308
Заявка: 2016121260/28, 30.5.2016
Опубликовано: 20.10.2016. Бюл. № 29
Авторы: Н.А. Брюхно, А.Ю. Фроликова, Е.А. Чирков
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Маска для травления мезаструктуры
МАСКА ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ МЕЗАСТРУКТУРЫ
Формула полезной модели
Маска для изотропного травления мезаструктуры на кремниевых pn-переходах, состоящая из слоя оксида кремния на кремнии, слоя фоторезиста на слое оксида кремния и отверстий в этих слоях до кремния, отличающаяся тем, что слой фоторезиста заходит на слой кремния в отверстия на расстояние L, причем 1,2W ≤ L ≤ Н, где W - ширина обедненного слоя pn-перехода при пробое, Н - глубина травления мезаструктуры.
