161589
H01L27/04
Заявка: 2015142316/28, 5.10.2015
Опубликовано: 27.4.2016. Бюл. № 12
Авторы: Н.А. Брюхно, В.И. Громов, Ю.Н. Севастьянов, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Мощная полупроводниковая микросхема
МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА
Формула полезной модели
Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, слоем тонкой металлизации из алюминия, диэлектрического покрытия с окнами к первому слою металлизации, второго слоя толстой металлизации из меди, полученного методом электроосаждения и состоящего из барьерного, затравочного слоев и слоя меди, отличающаяся тем, что перед барьерным слоем сформирован буферный слой из алюминия толщиной до 0,05-0,5 мкм, причем первый слой металлизации из алюминия должен быть легирован кремнием с концентрацией 0,5-1% (вес).
