156867
H01L27/00
Заявка: 2015130208/28, 21.7.2015
Опубликовано: 20.11.2015. Бюл. № 32
Авторы: Е.В. Абашин, Н.А. Брюхно, В.И. Громов, М.В. Степанов, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Мощная полупроводниковая микросхема
МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА
Формула полезной модели
Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, первым слоем тонкой металлизации для подачи сигнала управления и коммутации, диэлектрическим слоем с отверстием к первому слою металлизации и со сформированным поверх диэлектрического слоя методом электроосаждения вторым слоем толстой металлизации из меди, отличающаяся тем, что окна к первому слою металлизации выполняют шириной не менее 1,1 толщины второго слояметаллизации.
