178705
H01L29/872
Заявка: 2017141473, 28.11.2017
Опубликовано: 17.4.2018. Бюл. № 11
Авторы: Н.А. Брюхно, И.В. Куфтов, П.В. Панченко, М.В. Степанов
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Формула полезной модели
Полупроводниковый прибор на основе карбида кремния, состоящий из планарного рабочего перехода р-типа проводимости, сформированного в эпитаксиальном n-слое, и охранной системы на основе делительных колец, покрытой слоем оксида кремния, отличающийся тем, что в области делительных колец сформирована канавка глубиной 0,2-0,4 мкм, проходящая по внешнему краю планарного рабочего перехода р-типа и выступающая за пределы делительных колец на расстояние 1-1,5 глубины эпитаксиального слоя.
