Способ формирования гальванических покрытий

2275445
C25В 5/10
Заявка: 2004128840/02; 29.09.2004
Опубликовано: 27.04.2006. Бюл. № 12
Авторы: Е.А.Памфилов, П.Г.Пыриков, А.В.Патракова
Патентообладатель: Брянская государственная инженерно-технологическая академия

Способ формирования гальванических покрытий

Изобретение относится к триботехнике, машиностроению и приборостроению и может быть использовано при формировании многофункциональных покрытий на поверхностях фрикционных пар при гальванических способах осаждения в магнитном поле для обеспечения антифрикционных, механических (упругих, прочностных) свойств. Способ включает послойное осаждение на подложке металлов в последовательности уменьшения среднего размера их блоков мозаики, при этом предварительно производят текстурирование подложки, а послойное осаждение ведут в условиях воздействия магнитного поля, ориентируя кристаллы в каждом последующем слое однонаправлено с кристаллами предыдущего слоя в регламентированных плоскостях, причем плоскости скольжения в кристаллах функционального слоя ориентируют параллельно поверхности трения, а подбор материалов покрытия осуществляют с позиций минимизации величины температурного коэффициента линейного расширения от подложки к наружным слоям. Технический результат: повышение долговечности покрытия и расширение его функциональных возможностей.