2703931
H01L29\872
Заявка: 2019111221, 15.4.2019
Опубликовано: 22.10.2019. Бюл. № 30
Авторы: В.В. Афанаскин, Н.А. Брюхно, В.Н. Губанов, М.Ю. Котова, П.С. Ловцов
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ
Заявленный способ изготовления кремниевых диодов Шоттки относится к области микроэлектроники и может быть использован при изготовлении кремниевых диодов Шоттки на основе барьера платина-никель. Сущность: способ изготовления кремниевых диодов Шоттки включает нанесение в окна окисла на поверхности кремниевых полупроводниковых пластин слоя платины, слоя никеля, термообработку полученной структуры для образования силицидов платины и никеля, удаление остатков слоя платины и никеля, не прореагировавших с кремнием, нанесение барьерного слоя, нанесение слоя металлизации на рабочую сторону пластин и формирование топологии металлизации на рабочей стороне пластин, нанесение металлизации на обратную сторону пластин, отличающийся тем, что термообработку проводят путем облучения фотонами света перпендикулярно рабочей поверхности пластин в вакууме с давлением не более 1300 Па при температуре 470±5°С в течение 5-15 минут. Технический результат заключается в повышении диапазона регулирования высоты барьера контакта Шоттки. 3 ил., 1 табл.
