2737722
H01L21/58, H01L23/00
Заявка: 2020113959, 3.4.2020
Опубликовано: 2.12.2020. Бюл. № 34
Авторы: В.В. Афанаскин, Н.А. Брюхно, М.Ю. Котова, А.Е. Яценко
Патентообладатель: АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - к способам изготовления полупроводниковых приборов и микросхем, предназначенных для сборки в корпус с использованием эвтектической пайки, и может быть использовано для широкого круга изделий электронной техники. Техническим результатом изобретения является расширение области использования при покрытии посадочного места серебром, повышение производительности труда при сборке и повышение качества пайки. Способ изготовления полупроводникового прибора заключается в изготовлении рабочих структур на кремниевой подложке, покрытии золотом обратной стороны подложки, противоположной стороне с рабочими структурами, термообработке золотого покрытия, разделении кремниевой подложки на кристаллы с рабочими структурами, эвтектической пайке кристаллов в корпуса с посадочным местом под кристалл, покрытым серебром, согласно изобретению после термообработки золотого покрытия проводят обработку обратной стороны кремниевой подложки плазмой гексафторида серы в режимах 4-8 мин и подводимой мощностью 0,7-1,3 кВт. 1 табл.
