147303
H01L21/00
Заявка: 2014121272/28, 27.5.2014
Опубликовано: 10.11.2014. Бюл. № 31
Авторы: В.В. Афанаскин, Н.А. Брюхно, В.И. Громов, И.В. Куфтов, Ю.Н. Севастьянов, С.П. Сулаков
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Высоковольтный полупроводниковый прибор
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Формула полезной модели
Полупроводниковый прибор на основе карбида кремния, состоящий из планарного рабочего перехода р-типа проводимости, сформированного в эпитаксиальном n-слое, и охранной системы на основе делительных колец, покрытой слоем оксида кремния, отличающийся тем, что делительные кольца охранной системы сформированы в углублениях на поверхности карбида кремния глубиной 0,2-0,4 мкм.
