169376
H01L29/872
Заявка: 2016142150, 26.10.2016
Опубликовано: 16.3.2017. Бюл. № 8
Авторы: Н.А. Брюхно, И.В. Куфтов, А.Ю. Фроликова
Патентообладатель: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Защитное покрытие полупроводникового прибора на основе карбида кремния
Формула полезной модели
Полупроводниковый кристалл на основе карбида кремния, содержащий планарный рабочий переход, на котором сформирована металлизация, являющаяся контактной площадкой, с окружающим металлизацию защитным диэлектрическим слоем на основе полиимида, полосу скрайбирования без металлических и диэлектрических покрытий, ограничивающую рабочую поверхность кристалла, отличающийся тем, что защитный диэлектрический слой на основе полиимида покрывает часть металлизации, при этом контактная площадка выполнена на расстоянии d от полосы скрайбирования,
, где 
U - значение прикладываемого напряжения;
Е - значение критической напряженности поля для воздуха;
К - коэффициент для приборов на основе карбида кремния, К=0,24е0,0008U.
