Николай Александрович Брюхно родился 11 марта 1950 года. В 1966 году закончил Одесскую школу второй ступени №103. В школе заинтересовался электроникой как радиолюбитель с легкой руки учителя физики Леонида Львовича Крутя. Во время учёбы в школе участвовал в областных олимпиадах и в олимпиадах Одесского политехнического института. В 1966 году поступил на инженерно-физический факультет Одесского политехнического института на специальность «Технология специальных материалов электронной техники». Во время учебы работал на кафедре полупроводниковых материалов и заинтересовался использованием инфракрасных лучей в специальной технике. Дипломный проект выполнил по измерению теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов по ИК измерениям температуры.
20 августа 1971 года поступил на работу инженером-технологом на Брянский завод полупроводниковых приборов (сейчас АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»). Занимался внедрением в серийное производство микросхем серий 104,149,128 и других. Подал ряд предложений по усовершенствованию технологического процесса и по увеличению выхода годных на сборочных и контрольных операциях.
С 1973 года занимался разработкой технологических процессов изготовления кристаллов полупроводниковых приборов и микросхем, а также конструированием микросхем. Был главным конструктором микросхем серии 522.
В 1973-1974 годах окончил курсы патентоведов при Брянском областном совете ВОИР и начал активно заниматься изобретательством при поддержке известного брянского изобретателя Павленко Д.Е. Основная тема для изобретательства - технология и конструкция кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Было разработано более 25 изобретений.
В 1985 году Н.А. Брюхно получил второе место в РФ за изобретение по экономии электроэнергии.
В 1995 году изобретение Брюхно Н.А. и его соавторов было представлено на Всемирной выставке изобретений в Брюсселе.
С 2005 года Николай Александрович активно занимался технологией и конструированием кремниевых диодов Шоттки. Было разработано более 7 изобретений.
С 2013 года он занимался работами по внедрению в серийное производство диодов Шоттки на основе карбида кремния (впервые в России).
В ходе работ было разработано более 15 изобретений по технологии и конструкции диодов Шоттки на основе карбида кремния.
С 2015 года Н.А. Брюхно активно занимался разработкой и патентованием топологий полупроводниковых приборов и микросхем, а также программ для ЭВМ по управлению технологическими процессами. Было разработано более 18 технических решений по этой теме.
В настоящее время Николай Александрович Брюхно является автором более 100 патентов.
